Полеви транзистори

ПОЛЕВИ ТРАНЗИСТОРИ


ПОЛЕВИ ТРАНЗИСТОРИ С PN-ПРЕХОД (JFET)


1. ОБЩИ СВЕДЕНИЯ И КЛАСИФИКАЦИЯ

Полевите транзистори са активни полупроводникови прибори, чиято работа се основава на управление на електрическото съпротивление на слой от полупроводников материал, посредством напречно електрическо поле. Полупроводниковият слой, чието съпротивление се модулира чрез промяна на сечението му, се нарича канал. Проводимостта на канала се определя само от един тип токоносители - основните за използвания полупроводник. Затова полевите транзистори се наричат още униполярни.

Електрическото поле се създава от метален електрод, разположен над канала, който се нарича гейт (управляващ електрод, затвор, G).

Електродът, от който основните токоносители влизат в канала, се нарича сорсS (исток, катод). Електродът, през който основните токоносители излизат от канала, се нарича дрейн - D (сток, анод).

Патент на устройство, аналогично на полевия транзистор е направен още през 1930 г, от американския учен Дж. Лилиенфийлд. Това е станало много преди появата на биполярния транзистор. Обаче, поради ограничените възможности на технологията, полевите транзистори са разработени доста по-късно. През 1952 г. Шокли разработва и публикува теорията на полевия транзистор с PN-преход. През 1955 г. Дейси и Рос изработват първите екземпляри от германий на тези транзистори и изследват техните характеристики. През 1960 г. Аталла и Кант разработват структурата метал-окис-полупроводник, която стои в основата на MOS транзистора. Тук проводимостта на канала се изменя под действие на напрежение, приложено към метален електрод, изолиран с тънък слой окис от полупроводника.

В литературата на английски език, полевите транзистори са известни под съкращението FET (Field Effect Transistors). Понастоящем се произвеждат най-различни видове полеви транзистори с много добри качества, както във вид на дискретни елементи, така и в интегрални схеми.

Най-широко разпространение са получили полевите транзистори с управляващ PN-преход (Junction Field-Effect Transistor, JFET), при които изолацията между гейта и канала се осъществява чрез обеднения слой на обратно поляризиран PN-преход и МOS транзисторите (Metal-Oxyde-Semi-conductor, MOSFET), гейтьт на които е изолиран от канала с диелектрик (най-често се използва SiO2).

Класификация на полевите транзистори, според някои от най-често използваните критерии за класифициране е дадена на фиг.1.

Управлението на тока в изходната верига на JFET транзистори се осъществява чрез входно напрежение. Входният им ток е изключително малък, респективно входното им съпротивление е извънредно голямо. Следователно параметрите и характеристиките на тези транзистори съществено се отличават от параметрите и характеристиките на биполярните транзистори. Основните предимства на полевите транзистори пред биполярните са:

  • много голямото входно съпротивление;

  • ниското ниво на собствени шумове;

  • широк температурен диапазон на работа - от -200 до +200°С;

  • използват се и като управляеми съпротивления;

  • наличието на термостабилна точка, което позволява конструиране на стъпала с висока температурна стабилност;

  • устойчивост на параметрите им към въздействието на различни видове йонизиращи лъчения;

  • управляват се със сигнал с малка мощност и осигуряват значително усилване


Други реферати:
Курсова работа по туризъм
Манастири в Югозападна България
Културен туризъм
Кукерска среща
Инвестиционен проект за хотел и ресторант


Изтегли реферата



Инвестиционен проект за хотел и ресторант - Facebook Image
Сайтът се поддържа от DH Studio | pomagalo1.com © 2012 | Общи условия