Технологии при изработка на микропроцесори

Технологиите в новите процесори

Преди няколко години AMD повлече крак с вкарването в употреба на процеса SOI при производството на своите процесори. Сега е ред на Intel, която използва редица новаторски методи за своите 45-нанометрови процесори. След като преди време разгледахме какво представляват методите Low-K, High-K, напрегнатият силиций и SOI, както и ефектите от използването им, дойде време да обърнем внимание и на модерните вече metal gate, многократно ецване и новите материали от типа на хафния.

С еволюцията на процесорните поколения се стига до момент, в който се налага или тотален преход към нов литографски процес, или комбиниране на множество високотехнологични и скъпи производствени стъпки, с които той се замества. Новата философия на Intel, носеща името “Тик-так” повелява редуване на разработката на следващото поколение архитектура с прехода към технологично по-съвършен производствен процес за използваната в момента. Несъмнено това поставя сериозни предизвикателства пред компанията, а като добавим и Закона на Мур в уравнението, може да се каже, че Intel вдига доста високо летвата пред своите конкуренти.

В близкото бъдеще Intel ще започне предлагането на 45-нанометрови версии на сегашната си архитектура, за чието производство ще използва комбинация от вече изпитаните процеси High-K и SOI и няколко нови – metal gate, многократно ецване на подложката и слой от хафний. Какво представлява всеки от тях и каква полза ще има конкретно от него в производството?

Metal gate – новото е добре забравено старо

Типът транзистори, които в момента се използват като основна единица във всеки един процесор, са MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor). Макар в името си да имат думата “метал”, те съвсем не се нуждаят от него за работата си. Въпреки че в класическия транзистор се използва метал за изработката на гейта му, от няколко десетилетия насам компаниите, произвеждащи процесори, го заместват в транзисторите си с материал, наречен поликристален силиций, или накратко – полисилиций. Причината за това е комплексна – използването на метал в процесорите е нежелателно, тъй като някои от производствените стъпки след добавянето му включват нагряване до над 1000оС, което би го разтопило. Дори и това да се избегне, металът влиза в химически контакт със силициевата подложка, което предизвиква постепенното й замърсяване.

Полисилицият представлява свръхчист силиций в кристална форма, обработен така, че да е свръхнаситен с електрони и дупки в своята кристална решетка. Тъй като те са лесно подвижни, полисилицият представлява сравнително добър заместител на метала, ето защо се употребява при изработката на гейта в MOSFET транзисторите. До момента заместването на метал с полисилиций не представляваше проблем, но преходът към 45-нанометров процес изисква прекратяването на тази техника.

Причините за това са няколко; ще посоча по-важните от тях. Макар полисилицият да притежава много ниско ниво на електросъпротивление в сравнение с чистия метал той все пак притежава някакво. В допълнение към това, преходът към по-малък производствен процес допълнително изтънява вече миниатюрните слоеве от


Други реферати:
Структура на прокуратурата. Видове прокуратури. Компетентност. Състав. Видове надзор. Средства
Анализ на взаимодействието между парламентарната информационна среда на службите за сигурност
Взаимодействието между Българската и съветската армия за осигуряване на военни материали във войната срещу Германия 44-45 г
Държавна власт и държавна администрация
Национална сигурност и усъвършенстване на военно-гражданските отношения


Изтегли реферата



Национална сигурност и усъвършенстване на военно-гражданските отношения - Facebook Image
Сайтът се поддържа от DH Studio | pomagalo1.com © 2012 | Общи условия